IXGP20N120A3

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IXGP20N120A3概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP20N120A3  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching

VCES= 1200V

IC110 = 20A

VCEsat ≤2.5V

Features

Optimized for Low Conduction Losses

International Standard Packages

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Inrush Current Protection Circuits


得捷:
IGBT 1200V 40A 180W TO220


贸泽:
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A


e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


富昌:
IXGP Series 1200 V 40 A Flange Mount GEN X3 IGBT - TO-220AB


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP20N120A3  IGBT Single Transistor, 40 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pins


DeviceMart:
IGBT 1200V 40A 180W TO220


IXGP20N120A3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 180 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 180 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGP20N120A3
型号: IXGP20N120A3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP20N120A3  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚
替代型号IXGP20N120A3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGP20N120A3

IXYS Semiconductor

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IXGP10N60A

IXYS Semiconductor

功能相似

IXGP20N120A3和IXGP10N60A的区别

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