IXGP30N60C3C1

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IXGP30N60C3C1概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP30N60C3C1  单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

High Speed PT IGBTs for 40 - 100kHz Switching

Features

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Anti-Parallel Schottky Diode

International Standard Packages


得捷:
IGBT 600V 60A 220W TO220


e络盟:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP30N60C3C1  单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 220000mW 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 220W; TO220AB


IXGP30N60C3C1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 220 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 220 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 220000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXGP30N60C3C1
型号: IXGP30N60C3C1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXGP30N60C3C1  单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
替代型号IXGP30N60C3C1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGP30N60C3C1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

STGP20NC60V

意法半导体

功能相似

IXGP30N60C3C1和STGP20NC60V的区别

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