IXYS SEMICONDUCTOR IXFR36N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
通孔 N 通道 20A(Tc) 208W(Tc) ISOPLUS247™
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
贸泽:
MOSFET 600V 20A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The IXFR36N60P power MOSFET from Ixys Corporation provides the solution. Its maximum power dissipation is 208000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFR36N60P Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
额定电压DC 600 V
额定电流 36.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 5 V
输入电容 5.80 nF
栅电荷 102 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 25 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXFR36N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
SPA20N60CFD 英飞凌 | 功能相似 | IXFR36N60P和SPA20N60CFD的区别 |