IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170H1 单晶体管, IGBT, 隔离, 26 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 引脚
IGBT NPT 1700 V 38 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
贸泽:
IGBT 晶体管 17 Amps 1700V 5.2 Rds
e络盟:
单晶体管, IGBT, 隔离, 26 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 38A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 38A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 38A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170H1 IGBT Single Transistor, Isolated, 26 A, 3.5 V, 200 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 Pins
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 250 ns
击穿电压集电极-发射极 1700 V
反向恢复时间 230 ns
额定功率Max 200 W
下降时间 250 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
封装 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, Robotics, Motor Drive & Control, 机器人, 电源管理, 电机驱动与控制
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99