IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins
IGBT PT 1200 V 70 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 160 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXGR35N120B IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXA55I1200HJ IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXGR35N120B和IXA55I1200HJ的区别 |