IXFT140N10P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFT140N10P概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V

表面贴装型 N 通道 100 V 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 100V 140A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin2+Tab TO-268

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin2+Tab TO-268

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin2+Tab TO-268

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

IXFT140N10P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 11 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 600 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 140 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-2

外形尺寸

宽度 14 mm

封装 TO-268-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IXFT140N10P

型号： IXFT140N10P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V

替代型号IXFT140N10P