INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS62WV25616DBLL-45TLI 存储芯片, SRAM, 256K X 16, 3V, 45NS, 44TSOP2
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
欧时:
静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM### SRAM(静态随机存取存储器)
e络盟:
INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS62WV25616DBLL-45TLI 存储芯片, SRAM, 256K X 16, 3V, 45NS, 44TSOP2
艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
Verical:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
Newark:
SRAM, 256K X 16, 3V, 45NS, 44TSOP2
DeviceMart:
IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
电源电压DC 2.50V min
针脚数 44
位数 16
存取时间 45 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.54 mm
宽度 10.29 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Consumer Electronics, Industrial, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, C, Automotive, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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