IPB47N10SL-26参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB47N10SL-26概述

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

SIPMOS® N 通道 MOSFET

得捷:
IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU

立创商城:
N沟道 100V 47A

欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin2+Tab TO-263

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

IPB47N10SL-26中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 26 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 175 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 175W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB47N10SL-26

型号： IPB47N10SL-26

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

立即咨询

替代型号IPB47N10SL-26

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB47N10SL-26 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPB47N10SL26ATMA1 英飞凌	类似代替	IPB47N10SL-26和IPB47N10SL26ATMA1的区别
IPI47N10SL-26 英飞凌	类似代替	IPB47N10SL-26和IPI47N10SL-26的区别
SPI47N10L 英飞凌	功能相似	IPB47N10SL-26和SPI47N10L的区别