IRF6721STRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF6721STRPBF概述

Direct-FET N-CH 30V 14A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: 100% Rg tested

.: Low Profile less than 0.7 mm

.: Dual Sided Cooling

.: Optimized for Control FET Applications

.: Low Conduction Losses

.: Optimized for High Frequency Switching

.: Low Package Inductance

IRF6721STRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 42 W

通道数 1

漏源极电阻 8.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 8.9 ns

输入电容Ciss 1430pF @15VVds

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DirectFET-SQ

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.7 mm

封装 DirectFET-SQ

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF6721STRPBF

型号： IRF6721STRPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Direct-FET N-CH 30V 14A

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