Direct-FET N-CH 100V 15A
Benefits:
极性 N-CH
耗散功率 2.8W Ta, 104W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2160pF @50VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99