Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R280C6ATMA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R280C6ATMA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 39A; 104W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
额定功率 104 W
极性 N-CH
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13.8A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 950pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅