Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R150CFDXKSA1, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R150CFDXKSA1, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定功率 195.3 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 135 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 195.3 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 22.4A
上升时间 7.6 ns
输入电容Ciss 2340pF @100VVds
下降时间 5.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195.3W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP65R150CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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