IRGP6660D-EPBF概述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 330000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube
IGBT - 600 V 95 A 330 W 通孔 TO-247AD
得捷:
IGBT 600V 60A TO247AD
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 330000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 3-Pin TO-247AD Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube
IRGP6660D-EPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 330000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 70 ns
额定功率Max 330 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 330000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Welding
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRGP6660D-EPBF
型号： IRGP6660D-EPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 330000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube