IPP60R600E6

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IPP60R600E6概述

600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor

N-Channel 600 V 7.3A Tc 63W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220


立创商城:
IPP60R600E6


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 CoolMOS E6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220


IPP60R600E6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 63 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.3A

输入电容Ciss 440pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP60R600E6
型号: IPP60R600E6
制造商: Infineon 英飞凌
描述:600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor

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