IPB04N03LAT概述
D2PAK N-CH 25V 80A
表面贴装型 N 通道 25 V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB04N03LAT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
输入电容 3.88 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 4.50 ns
输入电容Ciss 3877pF @15VVds
额定功率Max 107 W
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号IPB04N03LAT
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB04N03LAT Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB04N03LA 英飞凌 | 功能相似 | IPB04N03LAT和IPB04N03LA的区别 |