晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Target Applications:
额定功率 34 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 34W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPA60R165CPXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHF22N60E-GE3 威世 | 功能相似 | IPA60R165CPXKSA1和SIHF22N60E-GE3的区别 |
SIHA22N60E-E3 威世 | 功能相似 | IPA60R165CPXKSA1和SIHA22N60E-E3的区别 |