IKP03N120H2XKSA1

IKP03N120H2XKSA1图片1
IKP03N120H2XKSA1图片2
IKP03N120H2XKSA1图片3
IKP03N120H2XKSA1概述

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO220-3


得捷:
IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IKP03N120H2XKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 62500 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 42 ns

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKP03N120H2XKSA1
型号: IKP03N120H2XKSA1
描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
替代型号IKP03N120H2XKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IKP03N120H2XKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IKP01N120H2XKSA1

英飞凌

类似代替

IKP03N120H2XKSA1和IKP01N120H2XKSA1的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司