Infineon IKP20N60TAHKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 40 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1
欧时:
Infineon IKP20N60TAHKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 40 A, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-220 Tube
Win Source:
IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1
耗散功率 156000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 41 ns
额定功率Max 166 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 156000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99