IRG7PG42UD-EPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRG7PG42UD-EPBF图片1

IRG7PG42UD-EPBF图片2

IRG7PG42UD-EPBF概述

IGBT 1000V 85A 320W TO247AD

IGBT 沟道 1000 V 85 A 320 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1000V 85A 320W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 85A 320000mW Tube

IRG7PG42UD-EPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 320000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 153 ns

额定功率Max 320 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG7PG42UD-EPBF

型号： IRG7PG42UD-EPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IGBT 1000V 85A 320W TO247AD