IPD60R950C6ATMA1

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IPD60R950C6ATMA1概述

INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
N沟道 600V 4.4A


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2


e络盟:
INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  Power MOSFET, CoolMOS, N Channel, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252


IPD60R950C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 3 V

输入电容 280 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 280pF @100VVds

额定功率Max 37 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Power Management, Communications & Networking, Automotive, Consumer Electronics, Industrial, Alternative Energy

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

IPD60R950C6ATMA1引脚图与封装图
IPD60R950C6ATMA1引脚图
IPD60R950C6ATMA1封装图
IPD60R950C6ATMA1封装焊盘图
在线购买IPD60R950C6ATMA1
型号: IPD60R950C6ATMA1
描述:INFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
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