INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
N沟道 600V 4.4A
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
e络盟:
INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD60R950C6ATMA1 Power MOSFET, CoolMOS, N Channel, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.68 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 3 V
输入电容 280 pF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 4.4A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 280pF @100VVds
额定功率Max 37 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 37W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Power Management, Communications & Networking, Automotive, Consumer Electronics, Industrial, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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