IPI60R385CPXKSA1概述
TO-262 N-CH 650V 9A
N-Channel 650V 9A Tc 83W Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
富昌:
IPI60R385CP 系列 650 V 0.385 Ohm N沟道 CoolMOSTM 功率 晶体管 - PG-TO262
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO262-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
IPI60R385CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 9.00 A
额定功率 83 W
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
输入电容 790 pF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 790pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPI60R385CPXKSA1