IPD50N06S409ATMA1

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IPD50N06S409ATMA1概述

DPAK N-CH 60V 50A

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD50N06S409ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 71 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 3785pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD50N06S409ATMA1
型号: IPD50N06S409ATMA1
描述:DPAK N-CH 60V 50A
替代型号IPD50N06S409ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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