IRG7PH28UD1MPBF

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IRG7PH28UD1MPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT 沟道 1200 V 30 A 115 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247AD Tube


IRG7PH28UD1MPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 115000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG7PH28UD1MPBF
型号: IRG7PH28UD1MPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 115000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

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