IPDH6N03LAG参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPDH6N03LAG概述

的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

IPDH6N03LAG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 2390pF @15VVds

额定功率Max 71 W

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPDH6N03LAG

型号： IPDH6N03LAG

描述：的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated