IHW30N110R3 系列 1100 V 30 A 通孔 反向传导 IGBT-PG-TO247-3
TrenchStop IGBT ,电压 1100 至 1600V
一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
极低 VCEsat
低关闭损耗
短尾线电流
低 EMI
最高接点温度 175°C
得捷:
IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
欧时:
Infineon IHW30N110R3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=1100 V, 60 A, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247
TME:
Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3
针脚数 3
耗散功率 333 W
击穿电压集电极-发射极 1100 V
额定功率Max 333 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 333000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 替代能源, Other soft switching applications, Consumer Electronics, Alternative Energy, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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