IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1图片1
IPD042P03L3GBTMA1图片2
IPD042P03L3GBTMA1图片3
IPD042P03L3GBTMA1概述

INFINEON  IPD042P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V

The IPD042P03L3 G is a -30V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.

.
Enhancement mode
.
Increased battery lifetime
.
AEC-Q101 qualified

得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
IPD042P03L3 系列 30 V 4.2 mOhm P沟道 OptiMOSTM P3 功率-晶体管 - PG-TO252-3


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 150W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD042P03L3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 150 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 70A

输入电容Ciss 12400pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 计算机和计算机周边, Automotive, 消费电子产品, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 电源管理, Consumer Electronics, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPD042P03L3GBTMA1
型号: IPD042P03L3GBTMA1
描述:INFINEON  IPD042P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V
替代型号IPD042P03L3GBTMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD042P03L3GATMA1

英飞凌

完全替代

IPD042P03L3GBTMA1和IPD042P03L3GATMA1的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司