INFINEON IPP60R199CPXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R199CPXKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IPP60R199CPXKSA1 Power MOSFET, N Channel, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 / N-Channel 650 V 16A Tc 139W Tc Through Hole PG-TO220-3
额定电压DC 600 V
额定电流 16.0 A
额定功率 139 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.52 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1520pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 通信与网络, 电源管理, 替代能源, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17