IRG7PH37K10D-EPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG7PH37K10D-EPBF概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 216000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT - 1200 V 45 A 216 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 216000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 3-Pin TO-247AD Tube

TME:
Transistor: IGBT; 1200V; 45A; 216W; TO247-3

IRG7PH37K10D-EPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 216 W

耗散功率 216000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 120 ns

额定功率Max 216 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 216000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IRG7PH37K10D-EPBF

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 45A 216000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube