IKW75N65EL5XKSA1

Infineon IKW75N65EL5XKSA1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3

欧时:
Infineon IKW75N65EL5XKSA1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube