IRG4BC30W-STRRP参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRG4BC30W-STRRP概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT - 600 V 23 A 100 W 表面贴装型 D2PAK

得捷:
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IRG4BC30W-STRRP中文资料参数规格

技术参数

额定功率 100 W

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG4BC30W-STRRP

型号： IRG4BC30W-STRRP

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

立即咨询

替代型号IRG4BC30W-STRRP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRG4BC30W-STRRP Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRG4BC30WSTRR 英飞凌	功能相似	IRG4BC30W-STRRP和IRG4BC30WSTRR的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IRG4BC30W-STRRP

Infineon 英飞凌

当前型号

IRG4BC30WSTRR

英飞凌

功能相似

IRG4BC30W-STRRP和IRG4BC30WSTRR的区别