IKZ50N65EH5XKSA1概述
单晶体管, IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 引脚
IGBT 沟道 650 V 85 A 273 W 通孔 PG-TO247-4
得捷:
IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
欧时:
Infineon IKZ50N65EH5XKSA1
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 4-Pin TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
IKZ50N65EH5XKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
耗散功率 273 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 53 ns
额定功率Max 273 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 273000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
外形尺寸
封装 TO-247-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Photovoltaic Inverters, Datacenters, Telecom Rectifiers
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IKZ50N65EH5XKSA1