JAN1N647-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN1N647-1概述

硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 1.5KW 2-Pin Case G Bag

Chip1Stop:
Diode Switching 400V 0.4A 2-Pin DO-35

Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 12V 1.5KW 2-Pin Case G Bag

JAN1N647-1中文资料参数规格

技术参数

电路数 1

正向电压 1V @400mA

钳位电压 22.6 V

测试电流 10 mA

正向电流 400 mA

脉冲峰值功率 1500 W

击穿电压 13.6 V

正向电压Max 1V @400mA

正向电流Max 400 mA

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-204AH

外形尺寸

封装 DO-204AH

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN1N647-1

描述：硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

替代型号JAN1N647-1