Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R
Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 100 mA 620MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 350 mW
增益频宽积 620 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 30 @8mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 30 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99