KSC1815GRTA概述
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 400mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
KSC1815GRTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
极性 NPN
耗散功率 400 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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