KST5089MTF

KST5089MTF图片1
KST5089MTF图片2
KST5089MTF图片3
KST5089MTF图片4
KST5089MTF图片5
KST5089MTF图片6
KST5089MTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 400

最大电流放大倍数hFE 1200

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KST5089MTF
型号: KST5089MTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
替代型号KST5089MTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

KST5089MTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMBT5089LT1G

安森美

功能相似

KST5089MTF和MMBT5089LT1G的区别

SMMBT5089LT1G

安森美

功能相似

KST5089MTF和SMMBT5089LT1G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司