KSB1116YBU参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSB1116YBU概述

Trans GP BJT PNP 50V 1A 3Pin TO-92 Bulk

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 50V 1A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

KSB1116YBU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 135 @100mA, 2V

额定功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB1116YBU

型号： KSB1116YBU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT PNP 50V 1A 3Pin TO-92 Bulk