额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 75 W
集电极击穿电压 70.0 V
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
KSE3055TTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSE3055T 飞兆/仙童 | 完全替代 | KSE3055TTU和KSE3055T的区别 |
MJE3055T 意法半导体 | 功能相似 | KSE3055TTU和MJE3055T的区别 |
MJE3055TG 安森美 | 功能相似 | KSE3055TTU和MJE3055TG的区别 |