KSE3055T参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSE3055T概述

通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications

**General Purpose and Switching Applications**

• DC Current Gain Specified to IC =10A

• High Current Gain-Bandwidth Product : fT = 2MHz Min.

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor

艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk

KSE3055T中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSE3055T

型号： KSE3055T

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications

替代型号KSE3055T