KSD401G参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSD401G概述

Trans GP BJT NPN 150V 2A 3Pin3+Tab TO-220AB Bulk

Bipolar BJT Transistor NPN 150 V 2 A 5MHz 25 W Through Hole TO-220-3

得捷:
TRANS NPN 150V 2A TO220-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk

KSD401G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @400mA, 10V

额定功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSD401G

型号： KSD401G

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT NPN 150V 2A 3Pin3+Tab TO-220AB Bulk

替代型号KSD401G