KSB1116AGBU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 0.75 W
增益频宽积 120 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSB1116AGBU
型号： KSB1116AGBU
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PNP 750mW 60V 1A Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3