KSD471AGBU参数规格_中文资料_数据手册PDF

KSD471AGBU概述

Trans GP BJT NPN 30V 1A 3Pin TO-92 Bulk

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 1 A 130MHz 800 mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 30V 1A TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

KSD471AGBU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 1V

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSD471AGBU

型号： KSD471AGBU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT NPN 30V 1A 3Pin TO-92 Bulk