KSA3010RTU

KSA3010RTU图片1
KSA3010RTU图片2
KSA3010RTU中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 55 @1A, 5V

额定功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSA3010RTU
型号: KSA3010RTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司