KSB772YSTSTU

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KSB772YSTSTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 60

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买KSB772YSTSTU
型号: KSB772YSTSTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads
替代型号KSB772YSTSTU
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