TEXAS INSTRUMENTS LM5109BSD/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 32ns延迟, WSON-8
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
欧时:
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器,Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON
立创商城:
LM5109BSD/NOPB
德州仪器TI:
1-A, 100-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and high noise immunity
e络盟:
驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
艾睿:
Driver 90V 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R
安富利:
MOSFET DRVR 90V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin LLP EP T/R
Chip1Stop:
MOSFET DRVR 90V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin LLP EP T/R
Verical:
Driver 90V 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS LM5109BSD/NOPB DRIVER, MOSFET, HALF BRIDGE, WSON-8
电源电压DC 8.00V min
上升/下降时间 15 ns
输出接口数 2
针脚数 8
静态电流 200 µA
上升时间 15 ns
下降时间 15 ns
下降时间Max 15 ns
上升时间Max 15 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 8V ~ 14V
电源电压Max 14 V
电源电压Min 8 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 WDFN-8
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 0.8 mm
封装 WDFN-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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LM5109BSD/NOPB TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
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LM5109BSDX 德州仪器 | 完全替代 | LM5109BSD/NOPB和LM5109BSDX的区别 |
LM5109BSD 德州仪器 | 类似代替 | LM5109BSD/NOPB和LM5109BSD的区别 |