LPV358IDG4

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LPV358IDG4概述

Dual, Low-Voltage, Low Power, O 8-SOIC -40℃ to 125℃

通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


艾睿:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5V 8-Pin SOIC Tube


LPV358IDG4中文资料参数规格
技术参数

供电电流 15 µA

电路数 2

通道数 2

输入补偿漂移 4.00 µV/K

带宽 237 kHz

转换速率 100 mV/μs

增益频宽积 237 kHz

输入补偿电压 1.5 mV

输入偏置电流 2 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 50 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: LPV358IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:Dual, Low-Voltage, Low Power, O 8-SOIC -40℃ to 125℃

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