MT41K512M16TNA-125:E TR

MT41K512M16TNA-125:E TR概述

IC SDRAM 8GBIT 800MHz 96FBGA

SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb 512M x 16 Parallel 800MHz 13.5ns 96-FBGA 10x14


得捷:
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96-Pin FBGA


Win Source:
IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA


MT41K512M16TNA-125:E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

引脚数 96

封装 FBGA-96

外形尺寸

封装 FBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买MT41K512M16TNA-125:E TR
型号: MT41K512M16TNA-125:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHz 96FBGA
替代型号MT41K512M16TNA-125:E TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT41K512M16TNA-125:E TR

Micron 镁光

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镁光

完全替代

MT41K512M16TNA-125:E TR和MT41K512M16HA-125:A的区别

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