MT49H8M36SJ-25E:B

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MT49H8M36SJ-25E:B概述

DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V/2.5V 144Pin FBGA

DRAM Memory IC 288Mb 8M x 36 Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA 18.5x11


得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA


艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V/2.5V 144-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin F-BGA


MT49H8M36SJ-25E:B中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 15 ns

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FBGA-144

外形尺寸

长度 18.5 mm

宽度 11 mm

封装 FBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MT49H8M36SJ-25E:B
型号: MT49H8M36SJ-25E:B
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V/2.5V 144Pin FBGA

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