MMUN2134LT1G

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MMUN2134LT1G概述

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

双电阻器数字 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3


立创商城:
MMUN2134LT1G


欧时:
### 双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 电阻比率


艾睿:
In contrast to traditional transistors, ON Semiconductor&s;s PNP MMUN2134LT1G digital transistor&s;s can be used in a wide variety of digital signal processing circuits. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MMUN2134LT1G PNP Digital Transistor, 100mA 50VDC 22 kOhm, Ratio Of.47, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:22kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMUN2134LT1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 Ratio, SOT-23


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3


MMUN2134LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMUN2134LT1G引脚图与封装图
MMUN2134LT1G引脚图
MMUN2134LT1G封装焊盘图
在线购买MMUN2134LT1G
型号: MMUN2134LT1G
描述:PNP 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号MMUN2134LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMUN2134LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMUN2134LT1

安森美

类似代替

MMUN2134LT1G和MMUN2134LT1的区别

MUN5134T1G

安森美

类似代替

MMUN2134LT1G和MUN5134T1G的区别

PDTA124XT

恩智浦

功能相似

MMUN2134LT1G和PDTA124XT的区别

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