MSC2295-BT1G概述
NPN射频放大器晶体管表面贴装 NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount
RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
得捷:
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 30V RF NPN
艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.03A 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount
MSC2295-BT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 30.0 mA
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买MSC2295-BT1G
型号： MSC2295-BT1G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：NPN射频放大器晶体管表面贴装 NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount