MRF5812GR2

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MRF5812GR2概述

射频RF双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor

RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO


得捷:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO


贸泽:
射频RF双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC


MRF5812GR2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 13dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V

额定功率Max 1.25 W

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF5812GR2
型号: MRF5812GR2
描述:射频RF双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
替代型号MRF5812GR2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

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